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24일 교육과학기술부에 따르면 KAIST 양경훈 교수팀이 세계최고 성능의 아날로그·디지털 통신용 집적회로의 핵심부품인 초고주파 발진기 회로와 4대1 멀티플렉서 회로 개발에 성공했다고 밝혔다.
현재 'Si CMOS 기술'은 소자 크기가 나노미터로 작아져 회로의 고밀도화에 따른 소자 불균일 및 고발열 등의 문제가 심각하게 대두되어 'Beyond CMOS'로 대표되는 신개념의 나노소자 및 집적회로 연구가 필수적이다.
양경훈 교수팀의 기술을 활용하여 만든 초고주파 발진기 회로는 최신 Si CMOS 기반 집적회로에 비하여 소비전력을 1/170(0.6%)로 줄일 있고, 4대1 멀티플렉서 집적회로의 경우는 최신 Si CMOS 회로에 비하여 소자수는 1/3, 전력소모는 2/3 이하로 줄일 수 있어 혁신적인 성능향상 및 에너지 절약이 가능하게 됐다.
또 상온 및 고온에서도 안정적인 동작특성을 나타냄으로써 실용성도 겸비하였을 뿐만 아니라 기존의 화합물 반도체 소자 기반 집적회로 공정설비를 그대로 적용할 수 있기 때문에 수 년 내 상용화 양산 체제에 들어갈 수 있을 것으로 예상된다.
/ 김현수 기자
