하이닉스반도체가 올해 투자금액을 3조500억원으로 상향조정했다.

하이닉스는 올해 투자금액을 기존 2조3천억원에서 7천500억원 늘어난 3조 5백억 원으로 확대한다고 31일 발표했다.

하이닉스는 이번 투자로 40나노급 D램 공정전환을 가속화해 경쟁사대비 약 15% 수준인 40나노급 제품비중을 연말까지 약 50% 수준으로 확대할 예정이다.

40나노급 D램은 50나노급에 비해 생산성이 50% 이상 좋아 원가경쟁력이 높다. 하이닉스는 이를 바탕으로 DDR3 등 제품을 고객에게 적기에 공급해 수익성을 높일 계획이다.

하이닉스 관계자는  "견조한 수요를 바탕으로 최근 메모리반도체 시장환경이 변화되고 있는 가운데 서버와 그래픽, 모바일 등 고부가가치 제품에 대한 고객 요구에 적극적으로 대응하기 위해 투자금액을 확대하게 됐다"고 설명했다.

하이닉스는 차세대 제품 개발을 위한 R&D에도 투자를 확대해 기술경쟁력을 강화한다는 전략이다. 

/ 김현수 기자

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